(인+지)하이닉스, 美 그란드스서 STT기술 구매

하이닉스반도체가 차세대 메모리반도체 기술 확보를 위해 해외 벤처회사로 부터 특허기술 구매를 서두르고 있다. 하이닉스의 독자적인 설계기술로만은 차세대 반도체 개발 능력이 여전히 부족하기 때문이다.

하이닉스는 2일 미국 반도체 설계 벤처회사인 미국 그란디스(Grandis Inc.)가 보유하고 있는 ‘STT램(Spin-Transfer Torque RAM)’ 특허기술을 구매키로 했다고 밝혔다. 하이닉스는 그러나 정확한 로열티 지급액수는 밝히지 않았다.

하이닉스 관계자는 “산자부의 중재로 최근 한양대와 STT 공동개발을 한데 이어, 추가로 그란디스와 제휴를 맺게됐다”면서 “회사가 비록 어렵더라도 미래 성장동력을 찾기위해선 차세대 반도체에 연구개발을 하지 않을 순 없다”며 향후 추가 제휴도 추진할 뜻을 보였다.

STT램은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로서 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다.

STT램은 특히 기존 메모리 제품에 있어서의 기술적, 물리적 한계로 여겨지고 있는 40나노미터 이하에서도 집적이 가능한 최적의 차세대 메모리로 평가 받고 있다.

2012년경부터 본격적인 STT램 시장이 형성될 것으로 예상되며, 초기에는 모바일 어플리케이션에 사용되는 노어플래시를 대체 가능할 것으로 보이며, 중장기적으로는 D램까지도 대체할 수 있을 것으로 전망된다./[e-mail]김경수기자