와이즈파워, 질화갈륨 웨이퍼 생산공정 美특허 획득

그린에너지 전문 부품소재 기업 와이즈파워(대표 박기호)는 계열사 그랜드텍을 통해 고휘도, 고효율 LED 핵심 소자인 GaN(질화갈륨) 웨이퍼의 생산공정 기술에 대한 미국 특허를 획득했다고 15일 발표했다.

이번 특허는 그랜드텍이 자체 개발한 수소기상증착 장비인 HVPE(Hydride VAPOR Phase Epitaxy) 시스템을 이용한 GaN 박막 형성 기술에 대한 것으로 에피 웨이퍼를 제조하는 공정 중에서도 LED 칩의 성능을 좌우하는 박막형성 기술이다.

LED 칩 공정은 크게 기판에 화합물 박막층을 형성시키는 에피 공정과 LED 칩을 만드는 팹 공정, 완성된 LED를 최종 제품으로 만드는 패키징 공정으로 나눌 수 있다. 그 중에서 에피 공정은 사파이어 기판에 금속화합물 박막으로 된 반도체층을 형성해 에피 웨이퍼를 만드는 과정을 의미한다.

에피 웨이퍼는 사파이어 기판 위에 GaN 박막층을 만드는 것이 핵심공정으로 이 공정 중에는 사파이어와 GaN 원자 간의 간격(격자상수) 차이로 인해 물리적 결함이 발생할 수 도 있어 이를 해결하는 것이 핵심이라는게 회사측 설명이다.

그랜드텍의 특허기술은 사파이어 기판과 GaN 층 사이에 완충 지대인 ‘나노로드(Nano Rod)’ 형태의 버퍼층을 형성함으로써 에피 웨이퍼의 물리적 결함을 해결한 것이다.

와이즈파워 박기호 대표이사는 “그랜드텍은 자체 제작한 수소기상증착 장비와 특허 기술을 상용화하여 조명용 LED 시장에서 요구하는 고휘도, 고효율 LED 칩 시장에 진출하는 계획을 추진 중에 있으며 특히 이번 특허 출원을 계기로 수소기상증착 장비와 GaN 기판의 출시를 앞당길 예정”이라고 밝혔다.

/[e-mail]김승호기자