에이티세미콘, GaN 전력반도체 패키징 기술 개발

반도체 패키징 및 테스트 전문기업 에이티세미콘은 13일 독자적인 매칭 기술과 패키지 기술을 적용해 열 방출이 우수하고 소자 효율과 성능을 향상 시킨 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 반도체 S대역(3GHz)과 X대역(9GHz) 패키지를 개발했다고 밝혔다.

이 기술은 한국전자통신연구원(ETRI)과 공동연구로 개발됐으며, 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 갈륨나이트라이드(GaN)를 사용해 전력밀도를 최대 10배, 전력 효율을 최대 30%이상 향상시켰다. 또 GaN 전력반도체의 칩 본딩 시 열전도성이 높은 특수소재를 사용해 패키지의 방열 기능을 높여 소자의 효율을 높였다.

회사 측은 "현재 이동 통신용 GaN RF(고주파) 전력 소자 패키지와 증폭기 모듈 등도 공동 개발 중"이라며 "향후 이동 통신 분야에도 GaN RF 전력 소자 패키지나 증폭기 모듈 등의 수요가 점차 증가할 것으로 기대됨에 따라 연구개발에 속도를 내고 있다"고 말했다.

[e-mail] 장민권 기자