RF머트리얼즈, ETRI 'GaN기술' 세계적 수준 국산화 성공 소식에↑

[파이낸셜뉴스] RF머트리얼즈가 장중 강세다. 국내 연구진이 일본의 수출 규제 품목 중 하나인 핵심 반도체 부품 '질화갈륨(GaN) 전력소자'를 국산화하는데 성공했다는 소식에 영향을 받은 것으로 풀이된다.

29일 오전 10시 32분 현재 RF머트리얼즈는 전 거래일 대비 10.27% 오른 1만950원에 거래되고 있다.

KBS는 전일 한국전자통신연구원이 질화갈륨 전력소자를 세계적 수준으로 국산화하는데 성공했다고 전일 보도했다.

이에 따르면 이번에 개발된 질화갈륨 전력소자는 출력 전력 300W, 전력 밀도 10W/mm 이상의 성능을 나타냈다.

기존 성능인 8.4W/mm 전력 밀도보다 우수한 특성을 나타내고 있어 투자자 관심이 쏠리고 있다.

이 가운데 RF머트리얼즈는 지난 5월 산업통상자원부가 진행하는 '산업용 고출력 레이저 다이오드 칩과 모듈 제조기술 국산화 과제'에 선정된 바 있어 기대감이 몰리는 것으로 풀이된다.

총 170억원의 정부지원금을 지원받는 본 과제는 RF머트리얼즈가 총괄사업자를 담당하고 옵토웰, 한국전자통신연구원과 한국광기술원이 질화갈륨 및 갈륨비소(GaAs) 에피 소재와 이를 이용한 레이저 다이오드 칩 개발에 참여한다.

RF머트리얼즈는 광화합물 반도체인 인듐인과 갈륨비소를 비롯해 RF화합물 반도체인 질화갈륨과 갈륨비소를 트랜지스터와 전력증폭기에 안착시킬 수 있는 패키지를 제조, 판매하는 사업을 영위하고 있다.

[e-mail] 최두선 기자