'반도체 기술 중국 유출' 삼성전자 전 연구원 오늘 구속기로

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 수석연구원이 구속 기로에 놓였다.

16일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의를 받는 A씨에 대해 지난주 구속영장을 신청했다고 15일 밝혔다. 이날 서울중앙지법은 오전 10시 30분부터 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)을 진행한다.

전 연구원 A씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반)를 받는다. 청두가오전은 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장을 지낸 최모씨가 중국 청두시로부터 투자받아 설립한 업체로, A씨는 현직 청두가오전 임원이다.

경찰은 지난해 A씨 자택을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견해 수사해온 것으로 전해졌다.

보다 발전된 18나노 D램의 기술도 중국에 유출된 정황이 포착돼 최씨와 A씨가 관여했는지도 들여다보고 있다.

경찰은 반도체 기술인력 대규모 중국 유출 정황도 포착해 수사 중이다.

지난해 10월 청두가오전 의뢰로 삼성전자와 SK하이닉스의 임직원들을 대거 빼내 중국 측으로 옮겨가는 데 가담한 혐의를 받는 컨설팅 업체와 헤드헌팅 업체 10여곳을 압수수색했다.

[e-mail] 강명연 기자