삼성전자 AI 칩 리더십 주도한다, 차세대 메모리 기술 'CLX' 신제품 공개

【실리콘밸리=홍창기 특파원】삼성전자가 차세대 메모리 기술인 '컴퓨트 익스프레스 링크'(CXL) 신제품을 공개했다. 삼성전자는 인공지능(AI) 시대를 맞아 CXL 기반 메모리와 고성능, 고용량의 고대역메모리(HBM) 솔루션을 통해 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어나간다는 방침이다.

삼성전자는 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컴퓨터 역사 박물관에서 개최된 국제 메모리 반도체 콘퍼런스 '멤콘 2024'에서 CMM(CXL Memory Module)-D(DRAM), CMM-B, CMM-H 등 CXL 제품과 함께 12단 5세대 HBM(HBM3E) 등을 선보였다.

삼성전자는 이날 기존의 CMM-D 외에도 메모리 풀링 솔루션인 'CMM-B(Box·박스)'와 낸드와 D램을 함께 사용하는 CMM-H(Hybrid·하이브리드) 등 CXL 기반 솔루션을 발표했다. CXL의 메모리 풀링은 여러 대의 서버에서 사용되는 메모리를 하나의 풀로 묶어 관리하는 기술을 말한다.

삼성전자 미주 메모리연구소장(DSRA-Memory) 최진혁 부사장은 '멤콘 2024'에서 기조 연설(키노트 스피치)을 통해 "삼성전자는 용량 측면에서는 CXL, 대역폭 측면에서는 고대역메모리(HBM)기술로 AI시대를 주도해 나갈 것"이라고 말했다. 이어 "삼성전자의 다양한 CXL 기반 솔루션은 메모리 자원의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있다"면서 "메모리 용량과 대역폭을 대거 향상시킬 수 있다"라고 강조했다. 그는 또 "삼성전자는 지속적인 메모리 혁신과 파트너들과의 강력한 협력을 통해 AI 시대 반도체 기술 발전을 이끌겠다"라고 말했다.

D램 개발실장 황상준 부사장도 이날 행사에 참석해 삼성전자의 D램, HBM 솔루션 리더십을 강조했다.

그는 "현재 양산중인 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) HBM에 이어 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 올해 상반기에 양산할 것"이라고 설명했다.

삼성전자는 6세대 HBM 제품의 경우 버퍼 다이(Buffer Die·적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치)에 로직 공정을 도입해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어간다는 계획이다.

[e-mail] 홍창기 기자