삼성전자 "하반기 차세대 낸드 개발 속도"

삼성전자가 인공지능(AI)용 고용량 저장장치 시장의 수요 확대에 빠르게 대응하기 위해 D램뿐 아니라 올해 하반기에 차세대 낸드플래시 개발을 앞당긴다.

21일 삼성전자 뉴스룸은 업계 최초 9세대 V낸드 개발과 기획에 앞장섰던 삼성전자 반도체(DS)부문 홍승완 Flash개발실 부사장, 현재웅 상품기획실 상무, 김은경 Flash개발실 상무, 조지호 Flash개발실 상무의 인터뷰를 공개했다.

현재웅 상무는 AI시대에서 고대역폭메모리(HBM)뿐만 아니라 낸드의 역할을 강조했다.

현 상무는 "언어 모델의 데이터 학습을 위해서는 학습의 재료가 되는 대규모 데이터를 담을 공간이 필요해 추론 단계에서 알고리즘이 빠르게 동작하기 위한 고성능 스토리지가 필수적"이라면서 "V낸드는 고성능 스토리지로서 정확하고 빠른 AI 서비스 실현에 중추적인 역할을 하게 될 예정"이라고 밝혔다.

삼성전자는 지속적으로 성장하는 낸드 시장에 대응하기 위한 전략으로 AI 서버용 제품을 중심으로 포트폴리오 구성을 강화하고 있다.

중장기적으로 차세대 응용처가 될 것으로 예상되는 △온디바이스 AI △오토용 제품 △엣지 디바이스 등 차세대 응용 제품의 포트폴리오를 확대하면서 수요에 대응하겠다는 전략이다.

이를 위해 삼성전자는 올 하반기 중으로 쿼드레벨셀(QLC) 기반 제품을 빠르게 개발해 AI용 고용량 스토리지 시장에 적극 대응할 예정이다.

[e-mail] 김준석 기자