삼성전자 핵심기술 中 빼돌려 웨이퍼 생산, 전 임원·수석연구원

[파이낸셜뉴스] 삼성전자의 반도체공정 핵심기술을 빼돌려 중국에 경쟁기업을 만들고 실제 시범 웨이퍼까지 생산한 전직 삼성전자 임원과 수석연구원이 구속 상태에서 검찰에 넘겨졌다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 등 혐의로 최모씨(66)와 오모씨(60)을 구속 송치했다고 10일 밝혔다. 최씨는 삼성전자와 옛 하이닉스반도체(현 SK하이닉스)에서 임원을 지냈고, 오씨는 삼성전자 수석연구원이었다.

경찰에 따르면 이들은 지난 2020~2022년 삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체공정 핵심기술인 반도체공정종합절차서(PRP)와 최종목표규격(MTS) 등을 무단으로 유출해 중국기업인 '청두가오전'의 제품 개발에 사용한 혐의다.

PRP는 반도체 공정 과정의 순서 등을 정하는 기술이다. MTS는 수율과 신뢰성, 품질 등 측면에서 반도체를 구성하는 요소들의 설정값은 정해 놓은 것을 말한다.

최씨는 지난 2020년 9월께 20나노급 D램 반도체를 제조하기 위해 중국 청두시로부터 4600억원을 투자 받아 청두가오전을 설립했다. 이후 국내 반도체 핵심인력들에게 접촉해 삼성전자 D램 메모리 수석연구원 오씨 등 복수의 기술인력을 청두가오전에 영입한 것으로 경찰 조사 결과 드러났다.

이 덕분에 청두가오전은 지난 2021년 1월 반도체 D램을 연구하고 제조하기 위해 공장을 착공하는 등 본격적 사업 시작이 가능했다. 2022년 4월에는 시범 웨이퍼까지 생산했다.

사업 시작 후 약 1년 3개월 만에 이뤄진 일이다. 이는 이전세대 D램 반도체를 개발한 경험이 있는 반도체 제조회사들도 일반적으로 새로운 세대의 D램 반도체를 개발하는데 4~5년이 걸리는 것을 생각하면 이례적인 속도다.

따라서 최씨와 오씨가 청두가오전의 20나노급 D램 반도체 개발에 삼성전자의 반도체공정핵심기술을 사용했을 것으로 경찰은 보고 있다.

경찰 관계자는 "통상 국내 엔지니어 1~2명이 중국으로 이직하는 수준의 기술유출 사안과 달리 삼성전자 임원출신인 최씨가 중국 지자체와 합작해 핵심기술을 빼낸 것"이라며 "국가경쟁력을 약화시키고 경제안보의 근간을 뒤흔드는 사안"이라고 진단했다.

그러면서 "삼성전자가 20나노급 D램 반도체의 공정 기술을 개발하는 비용으로 2조원을 투자했고 피해 기술의 경제적 가치는 4조3000억원에 달하는 만큼, 피해 금액은 가능하기 어려운 수준"이라고 전했다.

[e-mail] 김동규 기자