SK키파운드리, 4세대 0.18㎛ BCD 공정 선보여…모바일 및 차량용 전력 반도체 성능 향상 솔루션 제공

8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상된 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시를 통해 모바일 및 전력 반도체 성능 향상을 위한 솔루션을 제공한다고 11일 밝혔다.

SK키파운드리의 이번 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공해 서버 및 노트북용 PMIC, DDR5 메모리용 PMIC, Mobile charger, Audio Amp., 차량용 Gate driver 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용 가능한 것이 특징이다. 또한 Trimming용 MTP(Multi-Time Programmable)/OTP(One-Time Programmable) memory, SRAM memory 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다.

SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 만족했으며, Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15,000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 Isolator 제품 설계 또한 가능하다.

SK키파운드리는 3세대 0.18㎛ BCD 공정으로 쌓여온 대량 양산 경험과 고객의 높은 신뢰 수준을 바탕으로, 이번 4세대 0.18㎛ BCD공정이 모바일 디바이스의 배터리 수명 연장과 낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, 차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상을 통한 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다.

SK키파운드리 이동재 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며, "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 Gate driver IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.