"적과의 동침도 OK"...삼성전자, HBM에 사활 걸었다

[파이낸셜뉴스]삼성전자가 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E 제품의 엔비디아 납품 임박을 알리며 경쟁사 추격에 나섰다. HBM 전쟁의 전환점이라고 볼 수 있는 6세대 HBM4 제품의 경우, 베이스다이의 파운드리(반도체 위탁생산) 파트너를 고객사 요구를 우선으로 유연하게 대응할 예정이라고 밝히며 경쟁사인 대만 파운드리 업체 TSMC와의 협력 가능성을 열어 놓는 등 HBM 경쟁력 확보를 위해 '적과의 동침'까지도 수용할 뜻을 내비쳤다.

엔비디아 퀄 테스크 통과 기대감

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 3·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM4는 내년 하반기 목표로 계획대로 개발 진행 중"이라고 밝히며 "커스텀 제품 사업화 준비하고 있으며, 베이스 다이 제조와 관련된 파운드리 파트너 선정은 내·외부 관계없이 유연하게 대응해나갈 예정"이라고 밝혔다.

경쟁사인 SK하이닉스가 TSMC와 HBM용 베이스다이 동맹을 맺은 것과 달리 그간 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)으로서 장점을 십분 살린 '턴키(일괄)' 서비스를 강조한 점과는 다른 양상이다.

이날 김 부사장은 엔비디아 납품 관련해 "유의미한 진전"이 있었다고 밝혔다.

김 부사장은 "기존 예상했던 시점 대비 HBM3E 공급이 지연됐지만, 주요 고객사의 퀄 과정상 중요한 단계를 완료했다"고 말했다. 업계에서는 해당 제품을 엔비디아향 HBM3E 8단으로 추정하고 있다.

김 부사장은 "4·4분기 중 HBM3E 판매 확대가 가능할 것으로 예상한다"면서 "복수 고객사향으로 HBM3E 8단, 12단 제품 모두 진입 과제 늘려가며 판매 확대할 계획"이라고 밝혔다. 삼성전자는 3·4분기부터 HBM3E 8단 및 12단 제품 양산을 시작해 AMD 등 고객사에 공급 중인 것으로 알려졌다.

이날 삼성전자에 따르면 전체 HBM 사업에서 HBM3E 비중은 3·4분기에 10% 초중반까지 증가했으며, 4·4분기에는 50% 정도를 기록할 전망이다.

역대급 설비투자..."파운드리 줄이고, 메모리 집중"

설비투자에서는 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 적극 투자할 것임을 내비쳤다.

이날 삼성전자는 "차세대 반도체 R&D 단지 건설, 후공정 투자, 클린룸 선확보에 우선 순위를 두고 미래 경쟁력 강화에 나설 것"이라며 "설비투자의 경우 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고 기존 라인에 대해 1b 나노 D램, V8·V9낸드로 전환을 가속해 수요 모멘텀이 강한 선단공정 기반 고부가 제품에 집중할 것"이라고 밝혔다.

파운드리 투자의 경우 "올해 캐팩스(설비투자) 집행 규모는 감소할 것으로 전망된다"면서 "파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 기존 라인 전환 활용에 우선순위를 두고 투자를 운영하고 있다"고 밝혔다. 모바일, HPC 고객 수요 중심으로 투자가 이뤄지고 있다.

다만, 파운드리사업부가 내년에도 성장세를 이어가면서 2나노미터 공정 등 미세공정에 집중하겠다는 전략이다.

삼성전자는 "내년 시장은 고객사의 재고 조정에 대한 우려가 남아 있으나 선단 노드를 중심으로 두 자릿수 성장이 전망된다"고 밝혔다. 이어 "4·4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 또한 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력하도록 하겠다"고 말했다.

또 이어 "메모리사와 협력하여 선단 공정 및 어드밴스드 패키징 기술을 통합한 HBM 버퍼 다이 솔루션을 개발 중"이라며 "고객과의 전략적 파트너십 구축을 통해 모바일뿐만 아니라 HPC, AI, 오토모티브 등 다양한 응용처의 고객 확보를 추진하겠다"고 덧붙였다.

[e-mail] 김준석 임수빈 기자