미세공정 초격차… 삼성, 업계 최소 선폭 '14나노 D램' 양산
2021.10.12 18:52
수정 : 2021.10.12 18:52기사원문
삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있다.
이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 인공지능(AI), 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장의 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속적으로 커지고 있다. 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb(기가비트) D램까지 양산할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 "고용량, 고성능 뿐 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다"고 강조했다.
km@fnnews.com 김경민 기자