'車 메카' 獨 뮌헨 찾은 삼성 파운드리…전장이 다음 먹거리

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 19일(현지시간) 글로벌 자동차 산업의 메카 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 열고 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다고 밝혔다.

삼성전자는 최첨단 2나노미터(1nm=10억분의 1m) 공정부터 8인치 웨이퍼(원판)를 활용한 레거시 공정 등 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 협업 생태계인 '세이프(SAFE)' 파트너들은 부스 전시를 통해 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했다.

앞서 삼성전자는 지난 9월 독일에서 열린 세계 최대 모터쇼 'IAA 2023'에 참석하는 등 전장사업 파트너사 확대에 속도를 내고 있다.

삼성전자는 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료한다.

차세대 내장형 MRAM(eMRAM)과 8인치 바이폴라·CMOS·DMOS(BCD) 공정 포트폴리오를 확대한다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 칩이다. BCD 공정은 바이폴라(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 주로 전력 반도체 생산에 활용된다.

삼성전자는 2024년 완료를 목표로 차랑용 반도체 품질기준인 AEC-Q100 그레이드 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발 중이다. 또 2026년 8나노·2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eMRAM의 경우 이전 14나노 대비 집적도 30%, 속도 33%가 증가할 것으로 기대된다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 차세대 전장용 칩이다.

삼성전자는 현재 양산 중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대한다. 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다.

또 전장향 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70볼트에서 120볼트로 높일 예정이다. 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년 제공한다.

삼성전자 최시영 파운드리사업부장(사장)은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "삼성전자 만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

[e-mail] 장민권 기자