마이크론 등에 크게 앞서
삼성전자가 D램과 함께 메모리 반도체의 양대 축인 낸드플래시 미세공정 기술력에서 독주태세를 구축했다.
삼성전자는 최근 반도체 첨단 미세공정 기술력의 척도인 10나노대 중후반 이하 낸드플래시 생산 비중이 3·4분기 들어 역대 최고치인 90%를 넘어설 것으로 점쳐지면서 마이크론, 도시바, SK하이닉스 등 경쟁사들을 '두 수' 정도 앞서 나가는 양상이다.
낸드플래시 메모리의 미세공정 경쟁력은 반도체의 성능, 소비전력, 수익성과 직결돼 향후 삼성전자 수익구조에서 비중이 확대될 것이라는 전망이 나오고 있다.
10일 반도체 전문 시장조사기관인 IHS와 관련업계에 따르면 삼성전자는 3·4분기 낸드플래시 메모리 부문에서 첨단 미세공정으로 분류되는 10나노대 중후반과 10나노대 초중반 기술 비중이 각각 70%, 5%에 이를 것으로 예상됐다. 여기에 삼성전자는 세계에서 유일하게 양산 중인 적층구조의 3차원(3D) V낸드 생산비중(17%)까지 합치면 3·4분기 10나노대 중후반 이하 미세공정 비중은 92%에 달할 것으로 전망되고 있다.
이는 올 1·4분기 49%는 물론 전분기인 2·4분기 72%와 비교하면 첨단 미세공정 비중이 수직상승하는 추세다. 반도체 미세공정은 동일한 웨이퍼에서 반도체칩 생산량을 좌우하는 핵심 기술로 성능과 소비전력 개선 등 제품 경쟁력에 직결된다.
삼성전자는 올 1·4분기만 하더라도 비중이 51%에 달했던 10나노대 후반 공정기술이 주력이었다. 그러나 2·4분기 28%로 낮아진 10나노대 후반 미세공정 비중은 3·4분기에는 8%까지 떨어질 것으로 예측됐다. IHS는 삼성전자의 10나노대 후반 미세공정이 4·4분기 1% 수준까지 떨어진 뒤 내년부터는 완전히 자취를 감출 것으로 내다봤다. 마이크론이 3·4분기 10나노대 중후반 미세공정 비중을 76%까지 확대하며 삼성전자를 추격하고 있지만 상위 단계인 10나노대 초중반 공정이나 3D 낸드 공정에는 진입하지 못한 상황이다. 도시바와 SK하이닉스도 10나노대 중후반 미세공정이 늘고 있지만 3·4분기 예상치가 각각 57%, 6%에 그쳤다. SK하이닉스는 아직 10나노대 후반 미세공정이 90% 수준으로 주력인 가운데 10나노 중후반대 미세공정 비중 확대와 3D 낸드 기술 개발에 집중하고 있다.
삼성전자 관계자는 "현재 업계 유일하게 생산하는 3D V낸드뿐만 아니라 평면 낸드에서도 미세공정 투트랙 전략이 성공적으로 진행 중"이라며 "늦어도 10월까지 3세대 V낸드 양산까지 돌입하면 보다 안정적인 수익구조를 확보할 것"이라고 내다봤다.
이에 따라 올 1·4분기 22억달러(약 2조6000억원) 수준인 삼성전자 낸드플래시 매출 규모가 하반기 대폭 확대될 것으로 점쳐지고 있다.
cgapc@fnnews.com 최갑천 기자
10나노 공정이란 회로와 회로 사이 폭이 머리카락의 1만2000분의 1 정도에 불과한 반도체 기술이다. 미세공정이 진행될수록 같은 공간에 더 많은 회로도를 그릴 수 있다. 즉, 30나노보다는 20나노, 20나노보다는 10나노가 더 최신 기술이다.
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