"영화 2편 1초에 전송"… 삼성, 512GB DDR5 업계 첫 개발

삼성전자가 업계 최초로 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈(사진)을 개발했다. 이는 1초에 30GB 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.

25일 반도체 업계에 따르면 DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능을 보인다. 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps까지 확장될 전망이다.

삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량, 고성능, 저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능(AI) 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.

손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "메모리와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것"이라고 밝혔다.

HKMG 공정은 유전상수가 높은 신물질을 사용해 누설 전류를 줄이고 동작 속도를 향상시킬 수 있는 차세대 저전력 파운드리 기술로 이번에 개발된 DDR5 메모리는 이 공정을 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다. HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정대비 전력 소모를 약 13% 감소시켜 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 특장점이 있다는 평가다.

또 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 실리콘 관통 전극(TSV) 기술이 도입됐다.

삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다. 삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.

인텔의 데이터플랫폼 그룹 캐롤린 듀란 부사장은 "처리해야 할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터, 네트워크, 엣지 컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다"며 "인텔 제온 스케일러블 프로세서인 사파이어 래피즈와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다"고 말했다.

[e-mail] 김경민 기자