"업계 최초 9세대 V낸드 개발"...삼성, AI발 훈풍에 낸드 주도권 선점 나서

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 인공지능(AI)용 고용량 스토리지 시장의 수요 확대에 발맞춰 올해 하반기 중으로 차세대 낸드플래시 제품을 빠르게 개발해 시장에 적극 대응하겠다고 밝혔다.

21일 삼성전자 뉴스룸은 업계 최초 9세대 V낸드 개발과 기획에 앞장섰던 현재웅 삼성전자 반도체(DS)부문 상품기획실 상무, 홍승완 Flash개발실 부사장, 김은경 Flash개발실 상무, 조지호 Flash개발실 상무의 인터뷰를 공개했다. 이번 인터뷰를 통해 삼성전자는 △9세대 V낸드의 숨겨진 혁신 기술 △인공지능(AI)시대에서 낸드의 역할 △고용량 낸드의 중요성 △향후 낸드 시장 전망 및 대응방안 등을 소개했다.

현재웅 상무는 AI시대에서 고대역폭메모리(HBM)뿐만 아니라 낸드의 역할이 강조된다고 말했다. 현 상무는 "언어 모델의 데이터 학습을 위해서는 학습의 재료가 되는 대규모 데이터를 담을 공간이 필요해 추론 단계에서 알고리즘이 빠르게 동작하기 위한 고성능 스토리지가 필수적"이라면서 "V낸드는 고성능 스토리지로서 정확하고 빠른 AI 서비스 실현에 중추적인 역할을 하게 될 예정"이라고 밝혔다.

삼성전자는 지속적으로 성장하는 낸드 시장에 대응하기 위한 전략으로 AI 서버용 제품을 중심으로 포트폴리오 구성을 강화하고 있다. 중장기적으로 차세대 응용처가 될 것으로 예상되는 △온디바이스 AI △오토용 제품 △엣지 디바이스 등 차세대 응용 제품의 포트폴리오를 확대하면서 수요에 대응하겠다는 전략이다. 이를 위해 삼성전자는 올 하반기 중으로 쿼드레벨셀(QLC) 기반 제품을 빠르게 개발해 AI용 고용량 스토리지 시장에 적극 대응할 예정이다.

9세대 V낸드 혁신기술의 배경으로는 '셀 게이트 워드 라인 형성 공정'과 'HARC(High Aspect Ratio Contact) 식각 공정'이 있었다. 홍승완 부사장은 "업계 최소 두께의 '셀 게이트 워드 라인 형성 공정'을 통해 한 '단'을 얇게 만들고, 그로 인해 발생하는 셀 간 간섭을 제어하는 설계 기술을 적용했다"면서 "'HARC 식각 공정'을 고도화해 최상단부터 최하단까지 균일한 채널 홀을 형성할 수 있었다"고 설명했다. HARC 식각 기술은 높은 종횡비(가로 대 세로의 비율)를 가질 수 있도록 동일한 바닥 면적에서 더 높이 뚫을 수 있는 기술을 뜻한다.

또, 9세대 V낸드는 기존 제품 대비 저전력 효율을 높였다.

조지호 상무는 "'저전력 설계 기술'에 초점을 맞춰 이전 제품 대비 소비 전력을 10% 이상 개선하는데 성공했다"고 설명했다.

한편, 삼성전자는 지난달 업계 최초로 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 양산을 시작하며 낸드 시장 지배력을 공고히 했다. 9세대 V낸드는 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드(셀을 동작시키는 층) 두께가 구현돼 이전 세대보다 약 1.5배 높은 비트 밀도를 갖췄다. [e-mail] 김준석 기자