삼성전자 70나노 D램 공정기술 세계 첫 개발

삼성전자가 D램업계에서 마의 벽으로 인식되던 80나노 한계를 넘어 세계 최초로 70나노 D램 공정기술 개발에 성공했다.

삼성전자는 3일 금속(TiN:티타늄나이트라이드) 전극을 활용한 금속 콘덴서 기술을 적용, 기존 80나노 공정대비 30%의 생산량 향상효과가 있는 D램용 70나노 공정기술을 업계최초로 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 70나노 공정기술은 지난해 반도체 분야의 세계적인 학회에 잇따라 발표돼 우수논문으로 채택됐으며 현재 해외에 특허출원중이다.

삼성전자는 또 지난해 70나노 플래시메모리 제품 개발에 성공한데 이어 이번 차세대 70나노 공정기술 개발로 업계 리더로서 위상이 한층 강화됐다.

삼성전자는 유전체인 ‘하프늄옥사이드(HfO2)’ 표면에 질화막을 형성, 내열성 문제를 해결함으로써 세계 최초로 범용 D램에 적용할 수 있는 금속 콘덴서를 개발하게 됐다.

금속 콘덴서 공정은 기존의 실리콘 콘덴서 공정에 비해 콘덴서 크기를 30%가량 축소시킬 수 있어 512메가비트 이상의 차세대 대용량 D램에 적합한 기술이다.

삼성전자 관계자는 “이번에 개발한 금속 캐패시터 공정기술을 90나노 512메가비트 D램에 적용해 상용화 검증을 완료했다”며 “올해 안에 70나노급 512메가비트 제품을 선보일 예정”이라고 말했다.

/ [e-mail] 노종섭기자