삼성전자가 세계 최초로 60나노 공정을 이용한 8기가 낸드플래시 메모리와 80나노 공정을 이용한 2기가비트(Gb) 더블 데이터 레이트(DDR)2 D램 개발에 잇따라 성공했다.
삼성전자는 또 세계 최고속 667㎒ 모바일 중앙처리장치(CPU) 역시 세계 처음으로 개발, 시스템LSI 분야에서도 최고의 기술력 확보에 성공했다. 이에 따라 삼성전자는 메모리 부문에서 ‘세계시장리더’라는 명성을 다시 한번 재확인했다.
황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 20일 서울 장충동 신라호텔에서 기자간담회를 열고 “이제까지의 ‘메모리-시스템 독자성장모델’에서 탈피해 메모리와 공유, 시스템LSI도 함께 성장하는 ‘메모리-시스템 동반성장모델’을 구축, 전개해 나가겠다”고 밝혔다.
이를 위해 삼성전자는 차세대 성장엔진으로 메모리와 로직을 융·복합한 ‘퓨전 메모리’를 선정, 메모리 신성장론의 연장선상에서 태동하고 있는 ‘반도체 신성장’을 주도할 것을 천명했다.
내년 상반기부터 본격 양산에 들어갈 60나노 적용 8기가 낸드플래시는 기존 제품에 비해 용량은 2배로 늘어난 대신 크기는 3분의 1로 줄었으며 최대 16기가 바이트의 메모리카드로도 전환이 가능하다.
디지털 캠코더의 데이터 저장용으로 쓰이면 디지털 비디오 디스크(DVD)급 화질로 16시간 이상의 동영상을 저장할 수 있고, MP3 파일 기준으로는 340시간 분량의 저장이 가능하다고 삼성전자는 설명했다. 이는 고화질 영화 10편, MP3 음악 4000곡, 신문 102만4000장을 저장할 수 있는 용량이다.
삼성전자는 또 80나노 기술을 적용한 2기가 DDR2 D램을 내년부터 양산, 대용량 메모리 모듈이 필요한 서버 및 워크스테이션에 주로 탑재할 계획이다.
130나노 공정기술이 적용된 667㎒ 모바일 CPU는 동작전압이 1.35V로 3차원 그래픽을 위한 좌표연산과 개인휴대단말기(PDA) 및 스마트폰의 그래픽 처리, 디지털 오디오 처리, 3차원 게임 능력 향상에 크게 기여할 것으로 전망된다. 특히 64KB의 대용량 캐시메모리를 내장해 고용량 멀티미디어 서비스처리능력도 크게 높였다.
삼성전자는 현재 세계 1위인 구동침을 포함해 CMOS 이미지센서(CIS), CPU, 칩카드 IC 등 시스템LSI를 일류화 제품군으로 선정, 오는 2007년까지 집중 육성할 방침이다.
황사장은 “모바일 경쟁력을 바탕으로 수년 안에 세계 최고의 반도체회사로 성장하는 것이 중장기 목표”라며 “세계 1위 품목인 D램, S램, 플래시, 디스플레이구동칩에 이어 올해 멀티칩패키지(MCP) 부문까지 석권하고 오는 2007년까지 스마트카드칩, 고체촬상소자(CMOS) 이미지센서, 시스템온칩(SoC) 분야에서도 세계 최고로 자리매김할 것”이라고 다짐했다.
/ njsub@fnnews.com 노종섭 홍순재기자
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