광주과학기술원(GIST) 신소재공학과 이탁희 교수팀은 영국 캠브리지 대학 마크 웰랜드 교수팀과 공동으로 산화아연(ZnO) 나노선을 이용해 전계효과트랜지스터를 제작하고 이 트랜지스터의 전도특성을 입체적으로 규명하는데 성공했다고 3일 밝혔다. 이 결과는 나노과학기술분야 영향력 1위 학술지인 나노레터스 최근호에 게재됐다.
반도체 나노선은 우수한 전기적, 광학적, 기계적, 열적 특성을 나타내기 때문에 전계효과트랜지스터, 발광소자, 논리회로 등과 같은 다양한 나노소자의 기초 나노물질이 된다. 특히 전계효과트랜지스터는 논리회로를 구성하는 가장 기본적인 단위소자로 응용기술의 개발을 위해서는 그 전도특성을 이해하는 것이 매우 중요하다.
연구팀은 이번 논문에서 표면형상과 직경크기가 제어된 산화아연 나노선으로 제작된 전계트랜지스터의 전자 전도 특성을 변화시킬 수 있음을 보여줬다. 이는 나노선 기반의 논리회로 등에 다양하게 응용될 전망이다.
이 교수는 “그동안 반도체 나노선에 대한 연구는 나노선의 성장기술과 매우 기본적인 전도특성에만 초점이 맞춰져 왔다”며 “아직 마지의 영역으로 남아있는 나노소자의 전도 특성에 대한 이해의 폭을 넓히는 계기가 됐다”고 말했다.
/economist@fnnews.com이재원기자
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