단분자막 이용 비휘발성 분자메모리 소자 개발

국내 연구진이 단분자막을 이용해 비휘발성 분자메모리 소자를 개발했다. 차세대 메모리 소자로 적용이 기대된다.

성균관대 화학과 이효영 교수팀은 산화-환원 상태를 갖는 3∼4나노미터(㎚=10억분의 1m) 길이의 유기금속 단분자막을 직접 설계·합성해 이 같은 연구결과를 얻었다고 8일 밝혔다.

연구결과는 지난 1일 화학분야 권위지 ‘앙게반테 케미’에 소개됐으며 ‘잊을 수 없는 단분자막(An unforgettable monolayer)’이라는 평가를 받았다.

분자전자소자는 분자 설계와 합성이 가능하고 단위 면적당 초고밀도의 집적을 할 수 있는 장점이 있다.

하지만 고분자가 아닌 단분자막을 이용할 경우 소자의 전기단락 현상 등 때문에 수율이 떨어진다는 문제가 있었다.

연구진은 이 연구에서 전도성 유기물질을 단분자막 유기금속화합물과 상부 금속전극 사이에 넣어 전기단락 현상을 막았다. 또 단분자막 유기금속화합물에 알킬 체인을 늘려 전도성 침투를 막음으로써 소자 효율도 크게 향상시켰다.

이효영 교수는 “우리나라가 차세대 메모리시장에서도 선두를 유지하려면 다양한 형태의 비휘발성 메모리 소자 개발에 적극 나서야 한다”면서 “이번 연구는 집적화가 가능한 단분자막을 이용한 분자 메모리 소자 구현에 대한 가능성을 확인한 최초 연구라는 데 의미가 있다”고 말했다.

/[e-mail] 이재원기자