UNIST 고현협 교수 연구팀이 이번에 개발한 고성능 나노 트랜지스터는 지금까지 개발된 실리콘 트랜지스터보다 전자이동도는 3∼5배 가량 높으며 대기 상태에서는 전력을 차단하고 통전시에는 높은 전류 밀도를 실현한 고성능 제품이다. 이 제품이 상용화될 경우 전자기기의 크기와 전력소모를 획기적으로 줄일 수 있어 가볍고 얇으면서도 장시간 사용할 수 있는 초소형·초경량 노트북과 스마트폰 등을 만들 수 있게 된다.
이번에 개발된 기술은 실리콘 기판 위에 초박막 화합물 반도체를 직접 접합시켜 새로운 구조의 고성능 트랜지스터를 제조할 수 있게 한 것이다. 또한 기존 실리콘 반도체의 한계를 뛰어넘는 차세대 초고속·저전력 전자소자를 생산할 수 있는 새로운 길을 열었을 뿐만 아니라 추가 설비투자 없이 기존 대면적 실리콘 반도체 생산 공정을 그대로 사용할 수 있다. 따라서 생산 비용을 크게 줄여 대량생산에 유리하다는 장점도 있다.
고 교수팀이 이번에 개발한 초박막 나노 트랜지스터 제조 기술은 초고속·저전력 컴퓨터 CPU, 디지털 전자회로, 메모리 반도체 등 차세대 초고속 전자소자 제조의 핵심 기술로 자리잡을 것으로 기대되고 있다.
/kueigo@fnnews.com김태호기자
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