휘어지는 차세대 메모리 소자 기술 개발

국내 연구진이 자유자재로 휘어지는 멀티 레벨 메모리 소자를 개발했다. 이번 개발을 통해 기존 방식보다 더 저렴하게 차세대 반도체 메모리 성능을 2배 이상 높일 수 있게 됐다.

연세대학교 박철민 교수 연구팀은 간단한 용액 공정으로 휘어지는 멀티 레벨 메모리 소자를 개발했다고 3일 밝혔다.

일반 메모리 소자가 '읽기'와 '쓰기' 2가지 상태만 저장할 수 있는 반면 이번에 개발된 멀티 레벨 메모리 소자는 4가지 이상의 상태를 저장할 수 있다. 이를 통해 같은 크기의 일반 메모리에 비해 2배 이상의 집적도를 가질 수 있게 됐다.

이 멀티 레벨 메모리 소자는 고분자 강유전체 물질을 사용해 유연성을 높였다.

강유전체는 외부에서 전기장이 가해지지 않아도 분극현상을 유지하는 물질로 강유전체 메모리는 속도가 빠른 데다 전원이 없어도 정보가 지워지지 않는 장점이 있어 전 세계 공학자들이 주목하고 있다.

지금까지 고집적화 메모리 소자를 개발하는 데는 복잡한 전자회로를 반도체 기판에 그려 집적회로를 만드는 리소그래피 공정이 필요했다.

하지만 박 교수 연구팀은 상유전체 고분자에 잔류한 분극을 조절하는 기술을 활용한 용액공정을 통해 고집적도 메모리 소자를 제작하는 데 성공해 상용화 가능성을 높였다는 평을 받고 있다.

[e-mail] 박지현 기자