ETRI, 유럽전시회서 질화갈륨 국산화 기술 공개

한국전자통신연구원(ETRI)은 이탈리아 로마에서 개최된 반도체 소자관련 유럽전시회에서 질화갈륨(GaN) 관련 국산화 기술을 공개해 큰 인기를 얻었다. ETRI 연구진들이 참가자들에게 관련 기술을 설명하고 있다.

국내연구진이 해외 유수 학회 전시회에 반도체 소자인 GaN(질화갈륨) 관련 국산화 기술을 공개, 큰 호응을 얻었다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 이 기술이 칩 크기를 줄이고 고효율을 자랑해 국방 및 통신용으로 유용하게 사용될 수 있다고 21일 설명했다.

ETRI는 지난 10일까지 이탈리아 로마에서 열린 유럽 최대 규모의 마이크로파 학회인 'EuMW 전시회'에서 국내외 학계는 물론 RF(고주파) 부품 및 시스템 해외업체로부터 많은 관심을 받아 큰 성과를 얻었다고 밝혔다.

ETRI는 이번 전시회에서 자체 개발한 질화갈륨(GaN) RF 전력증폭기 기술과 GaN 전력반도체 기술 등을 공개했다. 전력증폭기란 미약한 입력신호를 크게 증폭시켜 안테나로 보내 전파를 보내는 역할을 한다.

따라서 고성능 레이더나 이동통신 기지국 및 단말기, 위성통신 등에 핵심적으로 쓰이고 있다.

GaN 전력반도체 또한 전기자동차나 에어컨, 냉장고 등의 일반가전제품, 태양광 기술에 있어 교류나 직류를 전력변환하는 곳에 주로 많이 활용된다. 특히 GaN 전력반도체는 기존 실리콘 등에 비해 전력량이 많아질 경우 여러개의 변환모듈이 필요해 최대 30%까지의 효율을 높일수 있다고 연구진은 설명했다.

ETRI 관계자는 "세계적인 항공우주시스템 장비회사인 BAE시스템즈가 ETRI 기술의 우수성을 인정해 투자의향을 밝히기도 했다"고 밝혔다.

[e-mail] 조용철 기자