SK하이닉스 'EUV D램' 첫 양산… 최태원의 승부수 결실

선제적 투자, 메모리 호황기 적중
하반기부터 스마트폰 제조사 공급
전력소비 20%↓…ESG경영 강화
삼성전자, 하반기부터 양산 계획

최태원 SK그룹 회장

SK하이닉스가 EUV를 활용해 양산하는 10나노급 4세대 D램. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gb LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다. 최태원 SK그룹 회장의 선제적 투자가 메모리 슈퍼 호황기에 적중했다는 평가다.

10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 부르고 있는데 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다.

■EUV 공정기술 적용 첫 양산

11일 SK하이닉스에 따르면 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 극자외선(EUV) 공정 기술을 통해 양산된다.

앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확보했다.

SK하이닉스가 이번에 1a 모마일 D램 양산을 시작할 수 있었던 가장 큰 이유로 최 회장의 과감한 투자와 결단이 꼽힌다. 최 회장은 총 46조원을 투자해 지난 2015년 이천 M14 공장을 시작으로 2018년 청주 M15에 이어 올해 2월 M16을 준공했다. 최 회장은 M16 준공식에서 "반도체 경기가 하락세를 그리던 2년 전 우리가 M16을 짓는다고 했을 때 우려의 목소리가 많았다"면서 "하지만 어려운 시기에 내린 과감한 결단이 더 큰 미래를 꿈꿀 수 있게 해주었다"고 밝혔다.

미래 공정인 EUV는 주로 파운드리(위탁생산) 분야에서 쓰였으나 이번 SK하이닉스의 양산을 시작으로 향후 메모리 업계로 확대될 전망이다. 공정이 극도로 미세화되면서 삼성전자와 대만의 TSMC, 미국의 마이크론 등 칩 제조사들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 계획이다.

■웨이퍼 생산성 약 25% 높여

SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다.

1a D램은 이전세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 1장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다. 올해 세계적으로 D램 수요가 늘면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대하고 있다. 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력 강점을 보강해 탄소 배출을 줄일 수 있어 환경·사회·지배구조(ESG) 경영 관점에서도 의미가 있다는 분석이다. SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에 내년 초부터 1a 기술을 적용할 예정이다.

SK하이닉스는 2월 네덜란드 ASML과 약 4조7500억원 규모의 EUV장비 공급계약을 맺은 바 있다. ASML은 EUV 장비를 생산하는 유일한 업체다. 조영만 SK하이닉스 1a D램 태스크포스(TF)장 부사장은 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용해 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 강조했다.

한편 지난달 마이크론은 세계 최초로 4세대 D램인 1α(1a) 기반 LPDDR4x 양산을 발표했다. 다만 마이크론은 EUV가 아닌 기존의 불화아르곤(ArF) 장비를 적용, 첨단 공정과는 거리가 멀다는 평가다.

삼성전자는 하반기 EUV를 활용한 10나노급 4세대 D램을 양산할 방침이다.

[e-mail] 김경민 기자