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HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고부가·고성능 제품이다. 최근 생성형 인공지능(AI)이 고성능 컴퓨팅을 요구하면서 HBM 수요가 늘고 있다. 회사 측은 “현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능을 검증하고 있다”고 밝혔다.
SK하이닉스는 이번 제품에 진일보한 ‘MR-MUF’와 ‘TSV’ 기술을 적용했다고 설명했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 필름형 소재를 바닥에 까는 방식보다 공정이 효율적인 데다 열 방출도 우수하다.
TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 최신 패키징 기술이다. 회사 측은 “이 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이의 제품을 만들 수 있었다”고 말했다. TSV 기술을 적용한 HBM3는 풀HD(1080p) 영화 163편을 1초에 전송하는, 초당 819GB의 속도를 낸다.
한편 윈팩은 반도체 패키징 및 테스트 사업을 영위하는 기업이다. SK하이닉스는 D램 테스트 외주 비중을 업황에 따라 일정 비율 설정 후 국내 3사에 의뢰 중이다. 이중 50%이상을 윈팩이 담당하는 것으로 알려져 있어 이번 소식에 따른 수혜 기대감에 매수세가 몰리는 것으로 풀이된다.
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