삼성 "휴머노이드 반도체·차세대 D램 공개"

시스템LSI·파운드리·메모리 등
이달 사업부별 테크데이 줄개최
9세대 V낸드 양산·HBM3도 관심
고성능 반도체, 주도권 확보 총력

오는 10월 20일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리는 '삼성 메모리 테크 데이 2023' 행사 이미지 삼성전자 제공

삼성전자가 이달 글로벌 반도체 행사를 줄줄이 열어 인공지능(AI) 시대에 대응할 차세대 반도체 솔루션을 대거 공개한다. 수요가 급증하는 고성능 반도체 시장을 두고 치열한 신기술 각축전이 펼쳐지는 가운데 차별화된 기술력을 앞세워 시장 주도권을 선점한다는 구상이다.

2일 관련 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS) 부문은 시스템LSI·파운드리·메모리 등 사업부별로 차세대 반도체 기술을 선보이는 글로벌 행사를 10월 중 개최한다. 삼성전자는 오는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열리는 '삼성 시스템LSI 테크 데이'에서 박용인 삼성전자 시스템LSI사업부장(사장)이 최첨단 시스템 반도체 '세미콘 휴머노이드' 개발 현황, 기술 동향 등을 소개한다.

삼성전자가 초지능·초연결·초데이터를 지향해 개발 중인 세미콘 휴머노이드는 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등 인간 기능에 근접한 역할을 수행하는 칩이다.

사람 눈처럼 기능하는 초고화소 이미지센서, 사람의 오감을 감지·구현하는 센서 등이다. 주혁 LSI사업부 신사업태스크포스(TF) 부사장은 삼성 바이오 센서를 활용한 '메디컬 휴머노이드' 등 의료용 반도체 기술에 대해 발표할 예정이다.

삼성전자는 오는 20일엔 미국 캘리포니아주 새너제이에서 '삼성 메모리 테크 데이'를 열어 D램·낸드플래시 등 차세대 메모리 기술을 공개한다. 삼성전자는 2017년부터 매년 테크 데이를 개최하며 최첨단 D램·낸드 제품 동향과 기술 로드맵 등을 소개하고 있다. 지난해의 경우 5세대 10나노미터(1nm=10억분의 1)급 D램을 생산하고, 2024년 9세대 V낸드 양산 및 2030년까지 1000단까지 셀을 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 계획을 공개했다.

SK하이닉스가 지난 8월 업계 최초로 321단 4차원(D) 낸드 샘플을 선보이며 2025년 양산을 예고한 상황에서 삼성전자도 300단 전후로 추정되는 9세대 V낸드와 관련 구체적인 양산 계획을 내놓을 지 주목된다. 아울러 AI 서버용으로 쓰이는 고대역폭메모리(HBM)3 개발 현황 등에 대한 설명도 있을 전망이다.

또, 17일과 19일에는 각각 일본 도쿄와 독일 뮌헨에서 삼성전자 파운드리 포럼을 열어 글로벌 시장 영향력 강화, 파트너사와 협력 강화 등을 모색한다.

앞서 삼성전자는 미국·한국 등에서 연 파운드리 포럼에서 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 등 차세대 공정을 계획대로 양산한다고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 모바일향 2나노 제품을 양산한 뒤 2026년 고성능컴퓨팅(HPC), 2027년 오토모티브로 공정을 확대할 예정이다.

업계 관계자는 "올해부터 테크 데이가 시스템반도체와 메모리반도체로 나뉘어 개최되는 만큼 사업부별로 차세대 기술을 더 구체적으로 소개하는 자리가 마련될 것"이라고 말했다.

[e-mail] 장민권 기자