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실리콘밸리에서 업계 최대 메모리 반도체 행사 개최
삼성전자 FMS 2024에서 생성형 AI SSD 새 제품 공개
SK하이닉스 엔비디아 GB200에 HBM 3E 탑재한 실물 설치
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SK하이닉스 엔비디아 GB200에 HBM 3E 탑재한 실물 설치
【실리콘밸리=홍창기 특파원】
"삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 시장과 보조를 맞추고 있다라는 점을 잘 보여줬다"
6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터. 전 세계 주요 메모리 기업들이 참가한 업계 최대 규모의 플래시 메모리 반도체 행사 '플래시 메모리 서밋'(FMS) 2024 전시장에 입장하자 마자 삼성전자의 '9세대 V낸드' 웨이퍼 실물이 눈에 띄었다. 많은 업계 관계자들이 이날 삼성전자가 업계에서 처음으로 양산을 시작했다고 밝힌 3차원 낸드 플래시메모리인 9세대 V낸드 웨이퍼 구조를 확인하기 위해 삼성전자 전시관 앞에 멈춰섰다.
PM1753 처음으로 선보인 삼성전자
삼성전자의 9세대 V낸드 웨이퍼는 스마트폰과 SSD(솔리드스테이드드라이브) 등에 사용되는 '더블 스택'(2층) 구조다. 현장에서 9세대 V낸드 웨이퍼의 장점을 소개한 삼성전자 관계자는 "9세대 V낸드 웨이퍼는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 업계의 최고 단수 제품으로 삼성전자의 기술력을 증명한다"고 말했다.
아울러 이날 삼성전자는 생성형 인공지능(AI) 서버용 최신 SSD 'PM1753'을 처음으로 공개했다.
PM1753은 삼성전자가 3년 만에 내놓는 서버용 SSD 신제품이다. 기존의 PM1743 대비 전력효율과 성능이 각각 최대 1.7배 향상됐다. 삼성전자는 이날 자사 전시장에 9세대 V낸드 웨이퍼와 더불어 PM1753 실물도 전시했다. PM1753 역시 관람객들의 관심을 이끌어 냈다.
오화석 삼성전자 솔루션 PE팀 부사장은 "PM1753을 통해 생성형 AI를 위한 데이터 처리 성능과 전력 효율을 한층 개선할 수 있다"고 강조했다.
'AI 혁명: 메모리 및 스토리지에 대한 새로운 수요 촉진하다'를 주제로 기조연설을 한 삼성전자 DS부문 미주총괄 짐 앨리엇 부사장은 "AI 발전을 위해 메모리 반도체의 성장은 필수다"라고 밝혔다. 이어 "삼성전자는 메모리 반도체의 제한을 확장해 AI 가능성을 확장하겠다"고 덧붙였다. 연구개발(R&D)과 기술 리더십으로 저전력 기반 고성능 제품의 생산을 선도하겠다는 것이다. 기조연설에는 오 부사장과 송택상 삼성전자 NDS PJ팀 상무도 함께 했다.
엔비디아 파트너사 어필한 SK하이닉스
엔비디아에 고대역폭(HBM) 반도체를 납품하고 있는 SK하이닉스는 자사 전시관 입구에 '엔비디아 파트너사'라는 팻말을 붙이고 장점을 어필했다. 또 SK하이닉스는 엔비디아의 블랙웰 시리즈의 최상위 모델인 GB200에 HBM 3E를 탑재한 실물도 설치했다. SK하이닉스 권언오 부사장과 김천성 부사장은 'AI 시대, 메모리와 스토리지 설루션 리더십과 비전'을 주제로 기조연설을 했다.
지난해 까지 FMS는 세계 최대 낸드 플래시 행사 '플래시 메모리 서밋'이었다. 올해부터 D램을 포함한 메모리와 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 때문에 행사 참여자들도 지난해 보다 조금 더 많아졌다고 현장 관계자 다니엘라씨는 설명했다. 이날 삼성전자가 새로운 SSD를 공개하고 SK하이닉스가 HBM 리더십 확보 유지를 강조했지만 일부 참석자는 혁신적인 점이 미흡했다고 평가했다. 업계의 한 관계자는 "삼성전자가 12년 전 V낸드를 처음 발표했을 때 처럼 획기적인 내용은 없었다"고 말했다.
theveryfirst@fnnews.com 홍창기 기자
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