산업 산업일반

뜨거운 HBM 경쟁…반도체 겨울론 녹인다['반도체의 봄' 오나]

김준석 기자

파이낸셜뉴스

입력 2024.09.26 18:14

수정 2024.09.26 18:47

선두 굳히기 나선 SK하이닉스
세계 최초로 5세대 12단 양산
삼성전자도 4분기 성과 자신감
마이크론은 깜짝실적 내며 가세
대통령 직속 인공지능위원회 출범
뜨거운 HBM 경쟁…반도체 겨울론 녹인다['반도체의 봄' 오나]
SK하이닉스가 26일 세계 최초로 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E의 12단 제품을 양산한다고 밝히면서 삼성전자와 마이크론 등 메모리 3사 간 HBM 경쟁이 한층 더 치열해지고 있다. SK하이닉스가 최신 제품 공급에 나서며 선두 자리 굳히기에 나선 가운데 HBM 시장을 양분한 2위 삼성전자의 추격과 최근 HBM3E 12단 제품 개발을 깜짝 발표한 마이크론까지 가세하면서 인공지능(AI) 반도체발 메모리업계 판도가 급변하고 있다.

더불어 마이크론은 영업이익과 주당순이익(EPS)이 모두 시장치를 웃도는 3·4분기 실적을 내놓으며 시간외 거래에서 주가가 14% 급등했다. 그 때문에 삼성전자와 SK하이닉스 목표주가를 대폭 하향 조정하면서 반도체 업종의 '겨울'을 전망한 모건스탠리의 반도체 비관론 역시 불과 보름 만에 힘을 잃고 있다.

SK하이닉스는 이날 현존 HBM 최대 용량인 36GB를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산에 돌입했으며, 연내 엔비디아 공급을 공식화했다.
올해 3월 HBM3E 8단 제품을 가장 먼저 엔비디아에 납품했던 SK하이닉스가 6개월 만에 다시 엔비디아의 HBM3E 12단 제품 최초 공급사가 됐다.

SK하이닉스의 이번 12단 제품은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 또 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제를 SK하이닉스의 핵심기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정으로 해결해 전 세대보다 방열성능을 10% 높였다.

SK하이닉스가 초반 HBM 경쟁에서 승기를 잡았다는 게 중론이지만 HBM 개발에 사활을 건 삼성전자도 강력한 후발주자라는 평가다. 실제 삼성전자는 지난 2·4분기에 HBM3 8단 제품의 엔비디아 품질 테스트를 통과했고, 4세대 제품인 HBM3의 엔비디아 납품도 지난달부터 진행된 것으로 전해진다.

삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM3E 12단 개발에 성공하고 올해 4·4분기 해당 제품을 양산하겠다고 밝혀 양사 간 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다.

미국 마이크론도 가세했다. 현재 3~5%의 점유율을 보이는 마이크론은 최근 자사 홈페이지에 HBM3E 12단 제품을 개발하고 고객에게 샘플을 공급하고 있다고 깜짝 발표했다.

관련 업계에서는 6세대 HBM4 제품부터는 5세대까지의 HBM 경쟁구도에 변화가 있을 것인지 주목하고 있다.
HBM4 제품부터는 본격 고객맞춤형으로 제작이 이뤄지며, 파운드리(반도체 위탁생산) 역량이 강조된다.

삼성전자는 파운드리와 HBM 제작·칩 설계를 혼자서 다 할 수 있는 '종합 반도체 기업(IDM)'으로서 강점을 적극 활용해 판도를 바꾸겠다는 전략이다.
업계 관계자는 "삼성전자와 SK하이닉스 간 패키징 공정 방식이 달라 양사 간 한판승부는 이제 본격적으로 이뤄질 것"이라고 말했다.

rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

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