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삼성전자 측은 "차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 건설, 고대역폭메모리(HBM)와 후공정 투자, 중장기 클린룸 투자 등에 우선순위를 부여해 미래 경쟁력 강화해 집중할 계획"이라면서 "설비 투자는 증설보다 전환 투자에 초점둘 것"이라고 말했다. D램 사업과 관련해 "기존 라인에 대해 1b 나노D램 및 V8·V9낸드로 전환을 가속화해 수요 모멘텀이 강한 선단공정 기반 고부가 가치 제품에 집중할 것"이라고 밝혔다.
rejune1112@fnnews.com 김준석 임수빈 기자
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