“HBM 성공 기틀 마련” SK하이닉스 김춘환 부사장, 은탑산업훈장 수상

HBM의 핵심인 실리콘관통전극(TSV) 요소기술 개발에 기여

2024 산업기술 R&D 종합대전에서 은탑산업훈장을 받은 SK하이닉스 김춘환 부사장. SK하이닉스 제공

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 연구개발(R&D) 공정 담당 김춘환 부사장이 지난 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 기술개발 부문 산업기술진흥 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다.

R&D대전은 국내 R&D 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 ‘산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상’ 시상식이 진행된다.

산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받은 것이다.

1992년 SK하이닉스에 입사한 김 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 그는 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 실리콘관통전극(TSV) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데, 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가 받는다.

김 부사장은 TSV 개발에 열을 올렸던 2008년 당시를 회상했다. 그는 “TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층해 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술"이라며 "개발 초기에는 고도의 정밀성과 미세한 제어가 요구되다 보니 난이도가 정말 높았는데, 특히 금속층 증착과 회로 패턴 형성 과정에서 어려움이 상당히 컸다"고 말했다.

이에 당시 김 부사장을 비롯한 개발진은 문제를 풀어내고자 유관 부서들과 머리를 맞대고 해결책을 모색했다. 치열한 협업 끝에 SK하이닉스는 ‘R&D의 요소기술 개발→제조 및 기술의 양산 품질 고도화→패키징’으로 이어지는 개발 모델을 완성했고, HBM 시장이 열리는 시점에 맞춰 제품을 내놓을 수 있었다.

오랜 연구 끝에 내놓은 제품이 곧바로 실적으로 이어지진 않았다. 초기에는 높은 공정 비용 대비 시장 수요가 적은 탓에 수익성을 확보하기 어려웠기 때문이다. 김 부사장은 “그럼에도 경영진의 확고한 믿음과 지원이 있어 프로젝트를 이어갈 수 있었다”고 밝혔다. 그러면서 “TSV 공정 기술 안정화와 인프라 구축에 중점을 두고 연구 개발에 더욱 매진했다"며 "양산 품질 개선 활동도 진행해 마침내 HBM 양산에 성공하게 됐다.

이 모든 성과의 단초였던 TSV는 현재 MR-MUF와 함께 HBM의 핵심 경쟁력이 됐다”고 전했다.

이번 수상에 대해 김 부사장은 “요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실”이라고 밝혔다.

이어 그는 “함께 한 구성원 모두에게 감사 인사를 전하며 앞으로 더 많은 분에게 수상의 기회가 돌아가길 기대한다”고 덧붙였다.

[e-mail] 임수빈 기자