산업 산업일반

바이든 HBM 옥죄기로 中제재 피날레...K반도체 영향은

임수빈 기자,

김준석 기자,

김학재 기자

파이낸셜뉴스

입력 2024.12.03 16:10

수정 2024.12.03 17:59

SK하이닉스, 전량 미국향 '영향無'
삼성전자, HBM2 등 구형 제품 위주 中수출
수출 물량 극히 일부분..."타격 제한적"
반도체 업계 "제재 계기로 中 메모리와 기술 격차 별려야"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 'GTC 2024' 행사에 전시된 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 12단 'HBM3E'에 친필 사인을 남겼다. 한진만 삼성전자 파운드리사업부장 SNS 갈무리
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 'GTC 2024' 행사에 전시된 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 12단 'HBM3E'에 친필 사인을 남겼다. 한진만 삼성전자 파운드리사업부장 SNS 갈무리


K반도체 상반기 중국향 매출 추이
삼성전자 SK하이닉스
2023년 상반기 17조8080억원 3조8821억원
2024년 상반기 32조3452억원 8조6061억원
(각 사 사업보고서)


전세계 HBM 시장 점유율 전망
(%)
기업명 2023년 2024년
SK하이닉스 53 59
삼성전자 38 36
마이크론 5 5
(골드만삭스)

[파이낸셜뉴스]미국이 대(對)중국 반도체 추가 통제 조치로 중국 기업에 인공지능(AI) 메모리의 대명사인 고대역폭메모리(HBM)를 공급하지 못하도록 하면서 삼성전자가 직·간접적인 영향권에 놓일 전망이다. 다만, 삼성전자가 중국에 수출하는 HBM 물량은 HBM2(2세대) 등 구형(레거시) 제품뿐이라 영향은 제한적일 것이란 게 업계의 중론이다. 전문가들은 미국의 이번 제재가 HBM을 비롯한 AI 반도체에서 중국과의 기술 격차를 벌릴 기회라고 평가하며 국내 기업들의 적극적인 기술 연구·개발(R&D)을 주문했다.

■삼성 中 HBM 수출 막혀도 "영향 제한적"
3일 반도체 업계에 따르면 미국 상무부가 사실상 HBM2부터 최신 제품인 HBM3E(5세대)를 제재 대상 리스트에 올리면서 HBM 시장을 양분 중인 삼성전자와 SK하이닉스에 끼칠 영향에 관심이 쏠리고 있다. 미국의 추가 제재 가능성이 높아지자, 중국 기업들이 K반도체 사재기에 나서면서 올해 양사의 중국을 대상으로 한 판매가 급증한 바 있다.


삼성전자의 상반기 중국 매출은 32조3452억원으로 지난해 상반기(17조8080억원)의 두 배 가까이 늘어났다. 스마트폰을 비롯한 세트(완제품) 제품의 판매량을 포함한 수치지만, 삼성전자의 중국 내 매출의 90% 이상이 반도체인 점을 봤을 때 반도체 수출이 급증한 것으로 풀이된다. SK하이닉스도 올해 상반기에만 8조6061억원의 매출을 중국에서 올렸다. 지난해 같은 기간 3조8821억원과 비교해 두 배 이상으로 늘어났다.

양사의 중국을 대상으로 한 반도체 매출은 증가했지만, 이번 제재로 인한 영향은 엇갈린다. HBM 제품 거의 전량을 엔비디아향 수출 물량으로 공급 중인 SK하이닉스는 이번 제재로 인한 영향이 전무하다는 게 업계의 예측이다. 반면, HBM2 등 구형 HBM 제품 물량 일부를 수출하는 삼성전자는 영향권에 놓이게 될 것이라는 우려가 나온다. 다만 업계 관계자는 "전체 HBM 매출에서 중국이 차지하는 비중은 높지 않아 이번 조치로 인한 영향이 제한적"이라고 밝혔다.

당국과 업계에선 HBM 수출통제로 우리나라 기업들이 영향을 받겠지만 우려했던 것보다는 미미할 것으로 파악하고 있다. 우리 주력제품은 미국 엔비디아에 납품하는 고사양 HBM이고, 중국에 수출하는 저사양 HBM 비중은 지속적으로 줄어들고 있어서다.

고영민 다올투자증권 연구원은 "국내 HBM의 중국 지역 공급을 보면 이미 엔비디아의 중국 매출 비중은 지난해 4·4분기부터 10% 안팎으로 줄었고, 엔비디아 중국용 제품인 H20은 (구형인) HBM3가 탑재됐다"고 말했다. 안기현 한국반도체산업협회 전무는 "현재 중국에 수출되고 있는 품목은 HBM2 등 저사양 제품들"이라며 "현재 삼성전자가 집중해야 하는 건 HBM3E나 HBM4 같은 고사양 HBM"이라고 강조했다.

■"中제재 계기, HBM 기술 격차 벌려야"
이번 제재 목록에서 제외된 중국 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 최근에야 HBM2를 양산하는 등 국내 업체와 기술력 차이가 크지만, 빠른 속도로 격차를 좁혀오고 있다. CXMT는 최근 레거시 D램인 더블데이터레이트4(DDR4) 공급 과잉을 주도하면서 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 수익성에 영향을 줬다. 일각에서는 CXMT가 차세대 제품인 DDR5 제품 양산에도 나섰다는 관측도 나오면서 추격 속도가 예상보다 빠르다는 평가가 나온다.

미국의 대중국 제재가 심해지는 게 오히려 기회가 될 수 있어 적극적인 연구·개발(R&D)을 통해 초격차 기술 확보에 더욱 적극적으로 나서야 한다는 조언도 나왔다.

이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 "최근 선단 D램이나 낸드플래시에서도 중국이 무섭게 따라오고 있고 삼성전자는 계속 타격을 계속 받고 있다"고 했다.
반도체 기업 고위 임원은 "기술은 독점하기 어려운 영역이기 때문에 중국이 얼마든지 자생할 수 있어 우려된다"면서 "결국 기술 혁신이 답"이라고 혁신의 중요성을 강조했다.


soup@fnnews.com 임수빈 김준석 김학재 기자

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