삼성 ‘7세대 D램’ 초격차 재시동… "TF 구성, 긍정적 신호"

수율 부진 등 6세대 D램 고전 딛고 7세대 D램 선제 개발로 극복 의지 HBM 메모리 판 뒤집겠다는 복안 2026년 10나노급 D1d 양산 계획

삼성전자는 7세대 D램 양산 태스크포스(TF) 구성 등 초격차 전략 재가동으로 고대역폭메모리(HBM)등 글로벌 메모리 시장의 판을 다시 뒤집겠다는 복안이다. 7세대 D램 선제적 개발로 HBM 시장의 주도권을 확보하기 위한 근원경쟁력을 강화에 총력을 기울이고 있는 상황이다.

■한 발 앞섰지만...경쟁자들 '코 앞'에

23일 업계에 따르면 5세대 D램에서 삼성전자에 한 발 늦었던 SK하이닉스와 마이크론은 같은 해 모두 D1b를 상용화하는데 성공했다.

특히 SK하이닉스의 경우 지난해 6세대 D램(D1c) 개발도 마쳤다. 그 해 8월에는 D1d에 대한 공정 신뢰성 평가(PRA)도 진행한 것으로 알려졌다.

통상적으로 반도체 제품의 첫 PRA가 설계 직후 수행된다는 점을 감안했을 때, 현재 SK하이닉스의 D1d 개발이 삼성전자 대비 앞서 있을 가능성이 있다는 게 업계 시각이다. 또 다른 경쟁사 마이크론도 지난달 '1γ'(감마) 기반 DDR5 샘플을 잠재 고객사에 출하했다. 1γ는 D1c에 해당한다.

상황이 이렇다 보니 삼성전자도 자사 차세대 D램을 꼼꼼히 들여다 보며 절치부심하는 모습이다. 전영현 DS부문장은 전 단계인 D1a(4세대)의 회로 일부 재설계 지시를 하는 등 사실상 원점 재검토란 초강수를 두기도 했다. 중국 저가 공세로 수익이 악화된 레거시(구형) D램 비중을 과감히 정리하기로 한 것도 초격차 전략의 일환으로 풀이된다. 저부가가치 시장에서 발을 빼는 대신, 차세대 제품에 집중하려는 목적이다. 이날 외신 등에 따르면 삼성전자는 10나노급(1z) 공정 저전력더블데이터레이트(LPDDR)4 8기가비트(Gb) 생산을 중단하기로 했다.

■TF 구성, 기술개발 완성 단계 신호

삼성전자가 이번에 7세대 D램 양산 TF를 꺼내든 것도 '승부수'를 던져 어려움을 극복하겠다는 의지로 풀이된다. 일각에서는 TF구성이 D1d 개발의 '긍정적인 신호'로 볼 수도 있다는 목소리도 나온다. 지금까지 삼성전자는 차세대 D램 개발 시 어느 정도 기술개발이 되면 양산을 준비하는 프로세스아키텍처(PA) 단계로 넘어갔다. 이번 TF 구성도 어느 정도 기술개발이 된 후 내려진 결정일 수 있다는 게 업계 시각이다. 특히 지난해 6세대 D램 개발에 성공, 7세대에 온전히 집중할 수 있는 SK하이닉스보다 더 많은 재원을 투입해야 하는 만큼 추격의 고삐를 조일 수밖에 없다는 분석이다.

SK하이닉스는 앞서 6세대 D램의 양산성을 확보, 올해 하반기부터 일반 D램에 적용할 계획이다. 올해 투자도 고대역폭메모리(HBM)와 인프라에 집중하겠다고 밝혔다. 이와 관련, SK하이닉스는 올해 1월 진행한 지난해 실적 설명회에서 "향후 (HBM) 공급 상황을 예상해 램프업을 위한 투자를 계획하고 있다"며 "1c 나노 공정을 향후 HBM4E에 적용, 적기 개발과 공급으로 시장 리더십을 유지하겠다"고 강조했다.

업계는 6세대 D램에서 SK하이닉스에 밀린 삼성전자가 7세대 D램의 성공적인 개발을 통해 분위기 반전을 꾀할 수 있을지 주목하고 있다. 아직까지 7세대 D램을 개발·양산한 기업은 없다. 삼성전자는 오는 2026년 10나노급 D1d, 2027년 10나노 미만급 1세대 D램(D0a) 양산에 돌입하겠다고 계획을 세운 상황이다.

[e-mail] 임수빈 권준호 기자